Цель изучения дисциплины: Данный курс дополняет знания, приобретенные студентами в основных курсах бакалавриата «Введение в физику твердого тела» и «Физика полупроводников», и является базовым в подготовке магистров-физиков в области физики полупроводников и оптоэлектроники. Курс ориентирует студентов на практическое использование изученных ранее явлений в полупроводниках как методов получения достоверной информации об их свойствах, а также включает дополнительные разделы, посвященные неспецифичным для полупроводников современным методам диагностики.

Задачи курса:

Сформировать у студентов базовые представления свойств об основных полупроводниковых материалах, о физических основах методов изучения различных свойств полупроводников и полупроводниковых структур, о критериях выбора правильного метода исследования для решения той или иной практической задачи, исходя из сопоставления возможностей и ограничений различных методов, приобрести практические навыки использования некоторых их них.

Передать обучающимся современные знания по оптическим свойствам полупроводниковых кристаллов, научить пользоваться приобретенными знаниями в освоении других областей физики твердого тела и оптоэлектроники, а также при подготовке магистерской диссертации и в последующей профессиональной деятельности

Передать студентам современные знания по физическим принципам работы фотоэлектрических приборов, детально рассмотреть устройство фотоэлектрических приборов различного типа, зависимость параметров приборов от фотоэлектрических свойств полупроводников, дать обзор новых идей в этой области, научить пользоваться приобретенными знаниями в практическом применении фотоэлектрических приборов, при подготовке магистерской диссертации и в последующей профессиональной деятельности

Главным инструментом изучения свойств симметрии физических систем и инвариантности законов физики относительно преобразований симметрии является теория групп. Если в результате преобразования физической системы мы получаем систему, совпадающую с исходной, то это преобразование является ее элементом симметрии. При преобразовании симметрии точки системы либо остаются неподвижными, либо переходят в эквивалентные положения, так, чтобы физические свойства системы не менялись. Целью курса является обучение студентов методам теории групп в физике твердого тела и теории кристаллического поля, что включает в себя изучение основных положений алгебраической теории групп и теории представлений, теории точечных и пространственных групп, а также методов теории групп в квантовой механике, в зонной теории, в теории кристаллического поля и спектроскопии твердых тел. В настоящем курсе рассмотрено множество примеров применения методов теории групп в физике твердого тела, в том числе, расщепление атомных уровней в кристаллическом поле, определение симметрии зонных состояний, правила отбора для дипольных электрических переходов в кристаллах и т.д.

Обучение методам теории групп в физике твердого тела и теории кристаллического поля, что включает в себя изучение основных положений алгебраической теории групп и теории представлений, теории точечных и пространственных групп, а также методов теории групп в квантовой механике, в зонной теории, в теории кристаллического поля и спектроскопии твердых тел.

Целью лекционного курса является 1) сообщение обучающимся сведений об основных технологических методиках эпитаксиального изготовления полупроводниковых наноструктур различных типов, где основное внимание обращено на молекулярно-пучковую эпитаксию и осаждение из газовой фазы; 2) представление основных сведений по теории формирования и роста наноструктур (термодинамика и кинетика); 3) информация о современных методах диагностики выращенных наноструктур; 4) Информация о наиболее типичных и актуальных полупроводниковых наноструктурах

Передать обучающимся современные знания методов оптической спектроскопии, электронных и колебательных свойств объемных кристаллов. Обучить методикам измерения оптических спектров кристаллов, в том числе фотонных кристаллов и кристаллических наноструктур.

Целью данного курса является расширение кругозора обучающихся, как в области прикладных физики и математики, так и в науке в целом, развитие навыков планирования и структурирования научной деятельности, поиска научной литературы.

Задачи:

Изучение предмета и содержания прикладных физики и математики, а также примыкающих к ним областей науки и техники, усвоение исторического развития и современного состояния узкопрофессиональной области научно-исследовательской работы обучающихся.

Целью данного курса является ознакомление слушателей с современными проблемами прикладных физики и математики и развитие навыков поиска и анализа публикаций по актуальным направлениям научных и прикладных исследований.

Задачи. В рамках данной дисциплины даётся обзор фундаментальных и прикладных проблем прикладных физики и математики на основе журнальных статей в рецензируемых научных журналах и трудов ведущих международных и всероссийских научных конференций, а также рассматриваются тенденции изменения направления и методик исследований. Слушатели развивают навыки использования реферативных баз данных и электронных каталогов научных издательств, поиска научных статей и определения их рейтинга.

Целью лекционного курса является 1) представление сведений об оптических свойствах кристаллов, в основном, полупроводниковых, и наноструктур различной мерности на основе этих кристаллов, об экситонном механизме поглощения и излучения света; 2) представление сведений о принципах работы наиболее важных и перспективных типах оптоэлектронных устройств, которые создаются на основе объемных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых наноструктур (кавнтовые ямы, квантовые точки).

Ознакомить обучающихся с современными проблемами физики низкоразмерных гетероструктур; подготовить обучающихся к самостоятельным исследованиям в области физики полупроводников и физики твердого тела.

Передать обучающимся современные знания в области фотоэлектрических свойств полупроводников. Обучить методике самостоятельного нахождения оригинальных научных работ по специальности. Сообщить обучающимся опыт составления реферативных работ на выбранные темы. Научить использовать полученные знания при анализе фотоэлектрических свойств полупроводников. Полученные сведения и опыт могут быть использованы полученные знания при освоении других дисциплин учебного плана, они необходимы для подготовки выпускных квалификационных работ.

Дать обучающимся общее представление об основах ядерного магнитного резонанса (ЯМР), акцентируя внимание на особенности этого явления в твёрдых телах. Описать процессы ядерной магнитной релаксации при различных механизмах взаимодействия ядер между собой и с окружением («решёткой»), позволяющие использовать их для исследования молекулярной подвижности и микроструктуры вещества в различных агрегатных состояниях. Научить определять динамические и структурные характеристики различных материалов в твёрдом состоянии на основе измерений параметров спектров магнитного резонанса при вариации условий экспериментов и использовать полученные навыки для подготовки магистерской диссертации и в последующей профессиональной деятельности.

Целью лекционного курса является: передать современные знания по физическим принципам лазеров, детально рассмотреть работу и устройство полупроводниковых лазеров, научить пользоваться приобретенными знаниями в освоении других областей оптоэлектроники, при подготовке магистерской диссертации. Важной задачей является подготовка к обучению в аспирантуре и к работе в области разработки лазерных и других твердотельных электронных и оптоэлектронных систем.

Целями лекционного курса и семинарских занятий являются:

1) изложение студентам принципов современной техники экспериментальных исследований быстро протекающих процессов в полупроводниковых наноструктурах,

2) обзор современных направлений исследований динамики носителей, экситонов, спиновых явлений,

3) углубленное изучение принципов описания когерентных явлений, изучаемых методами четырех-волнового смешения,

4) обзор исследований когерентных явлений в динамике экситонов и спинов

Целью лекционного курса является передача студентам современных знаний по физике структурных фазовых переходов в кристаллах, обучение использованию методов теории фазовых переходов при освоении других дисциплин учебного плана, при подготовке магистерской диссертации и в последующей профессиональной деятельности.

Целью курса является освоение фундаментальных знаний в области создания, исследования и применения материалов современных оптических технологий и выработка практических навыков использования этих знаний Ознакомление студентов с современными способами записи и обработки информации. В задачи курса входит рассмотрение основных современных материалов оптических технологий, привитие навыков применения знаний о них при решении конкретных задач.

Основная цель курса «Объектно-ориентированное программирование» состоит в изучении современных концепций объектно-ориентированного программирования на примере языка Java, получение навыков практического использования соответствующих методов и технологий программирования. Задачи учебных занятий: углубленно изучить применение основных понятий объектного программирования в приложении к языку программирования Java.

Познакомить обучающихся с программами и приемами обработки и подготовки научных данных к публикации. Научить пользоваться приобретенными знаниями при подготовке магистерской диссертации и в последующей профессиональной деятельности